GaAs系光導電形光検出器に関する研究

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概要

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• This report offers the investigation of the static optoelectronic switching characteristics in an Auston type photodetector using a semi-insulating GaAs substrate with gold electrodes. Upon illumination of 5 mW He-Ne laser light on the gap (5 μm) of electrodes of this photodetector, resulted photocurrent was approximately 150 μA..........Usjng modified basic semiconductor equations, it was found that these static optelectronic switching mechanism could be illustrated by considering the profile of generated carrier density.

• 大同工業大学の論文

著者

• 大家 重明

  大同工業大学応用電子工学科

• 小山 久芳

  (現)(株)リケン

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