Low Threshold InP/AlGaInP Quantum Dot In-Plane Laser Emitting at 638 nm

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概要

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• Within this contribution, results for a laser structure consisting of InP quantum dots embedded in an (AlxGa1-x)0.51In0.49P matrix lattice matched to GaAs are presented. The structure was fabricated using metal--organic vapor-phase epitaxy, showing electrically pulsed laser operation at room temperature with a low threshold current density of 870 A/cm2 and a lasing wavelength of 638 nm for a 2000 μm long device with uncoated facets. Optical output powers of more than 55 mW per facet and lasing up to 313 K is demonstrated.

• Japan Society of Applied Physicsの論文
• 2009-11-25

著者

• Schulz Wolfgang-michael

  Institut Fur Halbleiteroptik Und Funktionelle Grenzflachen Universitat Stuttgart

• Eichfelder Marcus

  Institut Fur Halbleiteroptik Und Funktionelle Grenzflachen Universitat Stuttgart

• Ro${ss}$bach Robert

  Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen, Universität Stuttgart, Allmandring 3, 70

• Jetter Michael

  Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen, Universität Stuttgart, Allmandring 3, 70

• Michler Peter

  Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen, Universität Stuttgart, Allmandring 3, 70

• Michler Peter

  Institut Fur Halbleiteroptik Und Funktionelle Grenzflachen Universitat Stuttgart

• Jetter Michael

  Institut Fur Halbleiteroptik Und Funktionelle Grenzflachen Universitat Stuttgart

• Rossbach Robert

  Institut fur Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflachen, Universitat Stuttgart

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