低ノイズIGBTモジュールの開発
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概要
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High-frequency leakage current that may cause serious conducted EMI problems flows through an inverter system. The paths of the leakage current are stray capacitors that are formed inside of motors, cables and IGBT modules.This paper proposes a new IGBT module that realizes low conducted emission noise by flipping the IGBT chip of lower-voltage-side to decrease its stray capacitance. The leakage current flowing through the low-noise IGBT module becomes small, since the stray capacitor is a main path of the current. Through an experiment, it is clarified that the conducted emission level is reduced by 13dB at a maximum when the low-noise IGBT module is applied to a resonant-type inverter.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2008-07-01
著者
-
岡本 健次
富士電機アドバンストテクノロジー株式会社
-
鳥羽 章夫
(株)富士電機総合研究所
-
岡本 健次
富士電機アドバンストテクノロジー(株)
-
玉手 道雄
富士電機アドバンストテクノロジー(株)
-
佐々木 達見子
富士電機アドバンストテクノロジー(株)
-
鳥羽 章夫
富士電機アドバンストテクノロジー(株)
-
田久保 拡
富士電機アドバンストテクノロジー(株)
-
パサン フェルナンド
富士電機アドバンストテクノロジー(株)
-
鳥羽 章夫
富士電機ホールディングス (株)
-
玉手 道雄
富士電機(株)
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