ZnO-In_2O_3系透明導電性酸化物
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概要
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Structural and physical properties of bulk and thin film samples in ZnO-In<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> system are shown. Several homologous compounds Zn<SUB>k</SUB>In<SUB>2</SUB>O<SUB>k+3</SUB> where k ≥ 3 for bulk system and where k ≥2 for thin film system were observed. Trends in electrical and optical properties, as functions of k in Zn<SUB>k</SUB>In<SUB>2</SUB>O<SUB>k+3</SUB>, were identified. The potential for metastable ZnIn<SUB>2</SUB>O<SUB>4</SUB> (k = 1) was discussed. The existence of k = 1 and 2 crystalline members at [In] / ( [In] + [Ga] ) = 0.5, but not at [In] / ( [In] + [Ga] ) =1, together with the change in sign of the slope of the lattice constants at [In] / ( [In] + [Ga] ) = 0.5 suggests that Zn<SUB>k</SUB>InGaO<SUB>k+3</SUB> would be the constitutive compounds, as opposed to the end members Zn<SUB>k</SUB>In<SUB>2</SUB>O<SUB>k+3</SUB> and Zn<SUB>k</SUB>Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>k+3</SUB>.
- 日本結晶学会の論文
- 2001-08-31
著者
-
森賀 俊広
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部先進物質材料部門
-
森賀 俊広
徳島大学工学部化学応用工学科
-
中林 一朗
徳島大学工学部化学応用工学科
-
森賀 俊広
徳島大院工
-
森賀 俊広[他]
徳島大学工学部
-
中林 一朗[他]
徳島大学工学部化学応用工学科
-
森賀 俊広
徳島大学工学部
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