Coherent Transport through Carbon Nanotubes with Finite Length
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- Japan Institute of Metalsの論文
- 2000-05-20
著者
-
川添 良幸
東北大 金属材料研
-
WU Jian
Department of Pharmacology, School of Pharmacy, Second Military Medical University
-
KAWAZOE Yoshiyuki
Institute for Materials Research, Tohoku University
-
Wu J
Shanghai Jiao Tong Univ. Shanghai Chn
-
Yu Jing-Zhi
Institute for Materials Research, Tohoku University
-
Yu J‐z
Tohoku Univ. Sendai Jpn
-
Gu Bing-lin
Department Of Physics Tsinghua University
-
Kawazoe Yoshiyuki
Institute For Material Research Tohoku University
-
Wu Jian
Department Of Electronic Chemistry Interdisciplinary Graduate School Of Science And Engineering Toky
-
YU Jing-Zhi
Department of Physics, Tsinghua University
-
Wu Jian
Department Of Applied Biology & Chemical Technology The Hong Kong Polytechnic University
関連論文
- 23aED-5 クラスターの最安定構造にみられるN依存安定性(23aED 電子状態・化学反応・分子構造,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 20aGL-6 銅クラスターへの酸素吸着反応 : サイズによるクラスターの構造転移と反応性変化(20aGL 微粒子・クラスター/若手奨励賞,領域9(表面・界面,結晶成長))
- R-Pd-B系ペロブスカイト型化合物の合成と性質
- ペロブスカイト型希土類ロジウムボライドの磁性、硬度、耐酸化性
- ペロブスカイト型ボライドCeRh_3Bのホウ素不定比と性質
- ペロブスカイト型RRh_3B(R=La, Gd, Lu, Y, Sc)の硬さと耐酸化性
- パーコレーションモデルを用いた電導薄膜の材料設計 : インジウム使用量削減をめざして
- 25pYR-7 SrTiO_3の全エネルギー表面に対する格子歪み効果の理論的解析(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 29pXK-2 ペロブスカイト型強誘電体の全エネルギー表面の谷底線の第一原理計算(誘電体)(領域10)
- Formation of New Materials in Fullerenes by Using Nuclear Recoil(II. Radiochemistry)
- 28a-S-9 C_Asの第一原理分子動力学計算
- ヘマトポルフィリンとそのダイマーのTDDFT計算
- 没入型3次元仮想現実体感システムCAVEとAVSを用いたナノテク用新材料の電子状態の可視化(HPC-5 : 科学技術計算)(2004年並列/分散/協調処理に関する『青森』サマー・ワークショップ(SWoPP青森2004) : 研究会・連続同時開催)
- オブジェクト指向設計によるチベット仏典文献の文字自動認識の発展(情報知識学会創立20周年記念特別号)
- 22aWA-2 CH_2分子の等電子異核系列に関するフント則の解釈(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 22aWA-5 フント第一、第二則の統一的解釈(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 19pWB-5 ビリアル定理に基づく水素分子の化学結合の研究(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- オブジェクト指向設計によるチベット文字認識研究の発展
- Theoretical Investigation of Stable Structures of Ge_6 Clusters with Various Negative Charges
- All-Electron GW Calculation for Quasiparticle Energies in C_
- 24aXD-8 第二、第三周期原子系列のフント則解釈における電子相関の役割(24aXD 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 26aWG-10 分子のフント経験則の解釈(26aWG 化学物理(シミュレーション・電子状態・光応答),領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 効果的なチベット文字認識システム
- 28aTB-10 フント則の起源は何か?(28aTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- フント則の起源は何か?(最近の研究から)
- 没入型3次元仮想現実体感システムCAVEとAVSを用いたゼオライトの電子状態の可視化(HPC-3: 科学技術計算)
- Stability of Copper Atoms Embedded in Sodium-Chloride Crystals
- GW Calculation of a Carbon Oxide Molecular Using an All-Electron Mixed-Basis Approach
- 酸化セリウムナノ結晶のサイズ効果
- 28pWM-7 量子モンテカルロ法による水素分子の研究(電子系)(領域11)
- 30aXN-8 第一原理GW近似によるベンゼン分子の準粒子エネルギー計算(原子・分子)(素粒子論,宇宙線,領域1,領域11合同)
- オブジェクト指向設計法によるチベット文字認識システム : 認識前処理部について
- 28pRB-8 半経験的ポテンシャルによるBaTiO_3とPbTiO_3の分子動力学シミュレーション(28pRB 誘電体(シミュレーション・理論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20pVC-1 第二,第三周期原子系列の電子構造に対する相関の影響(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 分子・固体の安定性はどのように実現されるか?--多電子論におけるビリアル定理の重要性
- 第一原理計算によるメタロセン分子の導電性評価
- 15aWF-2 分子性結晶 DAST の全電子密度分布と分子間静電エネルギー(高圧物性・構造解析, 領域 7)
- 30aWN-2 テラヘルツ波発生のための非線形有機DAST結晶の計算設計 : 分子軌道法からのアプローチ(物質設計・トンネル効果)(領域7)
- SR8000システムにおける第一原理計算プログラムの並列実行による効率化実現
- 24aB4 繰り込みポテンシャルを用いた格子モデルによる相転移の研究(バルク成長VII)
- 7)光磁気ディスクにおける磁区形成シミュレーション(画像情報記録研究会)
- 電子構造研究のための多体論基盤 (
- CeO_ナノ結晶のXPSスペクトルとモデル計算
- 25pWY-1 強誘電体薄膜キャパシタのインプリント現象の分子動力学シミュレーション(25pWY 薄膜・酸化物系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 22aYC-12 金属原子内包シリコン・クラスターの GW 準粒子エネルギー計算
- 19aWD-7 第一原理GW近似によるアルカリ金属クラスターの準粒子エネルギー計算
- 27pC-7 Ab Initio GW Calculations of Small Sodium Clusters by All-Electron Mixed Basis Approach
- スーパーコンピューティングシステムネットワークのSSL-VPNリモートアクセスシステム
- 大規模シミュレーション計算結果の3次元可視化ソフトウェアの統一とプレゼンテーションシステムの構築
- 通信・放送機構 青葉脳画像リサーチセンターの紹介 : 統合的先端脳画像情報通信ネットワークに関する研究開発
- 金属学会会報データベースの公開
- 28a-S-10 The similarity in adsorption between hydrogenated Si cluster and H-terminated Si surface
- 29a-GC-7 ^N(e,do)^Ce'反応における多重極共鳴
- 大規模ヒト3次元脳画像データベースの構築
- D-4-7 大規模ヒト脳画像データベースにおけるインターフェイスの検討
- Investigation of Hydrogen Chemisorption on GaAs(111)A Ga Surface by In Situ Monitoring and Ab Initio Calculation
- 重ね合わせ変形による標準脳断面画像作成
- 画像変形重ね合わせ法による標準脳画像作成法の提案
- 直交関数展開等を利用した医用脳画像のモデル化
- Thermodynamic Properties of Transition Metals Using Face-Centered-Cubic Lattice Model with Renormalized Potentials
- Comparison between the Full Frequency Integration and the GPP Model in ab-initio GW Calculation of Na Clusters
- Weak Universality of a Site-Percolation Model With Two Different Sizes of Particles on a Square Lattice
- Multi-Valued Magnetic Recording Materials Predicted by Self-Organized Magnetization Dynamics
- Site-Percolation Models Including Heterogeneous Particles on a Square Lattice
- Dielectric Response Functions Studied by an All-Electron Mixed-Basis Approach
- Monte Carlo Simulation of Cu-Au Alloys on FCC Iattice with a Renormalized Potential
- オブジェクト指向設計によるチベット文字認識について
- オブジェクト指向によるチベット活字文献からの文字パターン識別
- Dependence of Magnetism on Doping Concentration in V-Doped Bulk ZnO
- First-Principles Study of the Magic Ar_6Fe^+ Cluster
- First-Principles Calculation on Dissociation of Hydrogen Molecule in Nickel
- Effect of Magnetic Transition on Hydrogen Solubility in Ni
- Effect of Hydrogen on the Magnetism and Its Solubility in Ferromagnetic Nickel
- Atomic Structure of Pd-Intercalated Graphite by High-Resolution Electron Microscopy and First Principles Calculations
- Theoretical Study of Hydrogen Solubility in Fe, Co and Ni
- Quantum Monte Carlo Study of Electron Correlation in Chromium-Doped Silicon Cluster Cr@Si_
- Diffusion Monte Carlo Study of Atomic Systems from Li to Ne
- An Orbital-dependent Correlation Energy Functional in Density-functional Theory for the Study of Strongly-correlated Electronic Systems
- Atomic Structures and Magnetic Behavior of Small Ruthenium Clusters
- Hydrogen Interaction on Rhodium Clusters
- All-Electron Mixed-Basis Calculation of Structurally Optimized Titanium Nitride Clusters
- All-Electron Mixed-Basis Calculation to Optimize Structures of Vanadium Clusters
- Self-Separation of a Thick AIN Layer from a Sapphire Substrate via Interfacial Voids Formed by the Decomposition of Sapphire
- Thermodynamic Analysis of Various Types of Hydride Vapor Phase Epitaxy System for High-Speed Growth of InN
- Preparation of Large Freestanding GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using GaAs as a Starting Substrate : Semiconductors
- Growth of Thick Hexagonal GaN Layer on GaAs (111)A Surfaces for Freestanding GaN by Metalorganic Hydrogen Chloride Vapor Phase Epitaxy
- 木版刷チベット文献1音節切出し法について
- 研究紹介 木版刷チベット文献の1音節文字認識のエキスパートシステム
- 特集「計算材料科学・工学の最前線(1)」によせて
- Structural Dependence of Magnetic Shielding Properties in Al_4Li_4 Clusters
- Electronic and Structural Properties of Organic Molecules inside Carbon Nanotube
- Electronic and Transport Properties of Ferrocene Molecule : Theoretical Study
- Electronic and Transport Properties of Doped Organic Molecules for Molecular Wire Applications
- Electronic and Transport Properties of Molecular Wires : Theoretical Aspects for Realization of Nanoscale Interconnection
- Genetic Algorithm Approach to Functional Molecules for Nanoscale Devices
- Electron Transport in Molecular Enamel Wires
- Theoretical Study on Inclusion Complex of Polyaniline Covered by Cyclodextrins for Molecular Device
- Theoretical Study on Inclusion Complex of Polyaniline Covered by Cyclodextrins for Molecular Device
- Design Proposal of Light Emitting Diode in Vacuum Ultraviolet Based on Perovskite-Like Fluoride Crystals
- Fabrication of Semi-Insulating GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy of Fe-Doped Thick GaN Layers Using GaAs Starting Substrates