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概要
論文 | ランダム
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Near-field evidence of local polarized emission centers in InGaN/GaN materials
- Continuous-Wave Operation of 520nm Green InGaN-Based Laser Diodes on Semi-Polar {2021} GaN Substrates
- 531nm Green Lasing of InGaN Based Laser Diodes on Semi-Polar {2021} Free-Standing GaN Substrates