スポンサーリンク

Waiter-schottky-institut Technische Universitit Minchen:(present Address)sienaens Entwicklungszentru | 論文

• 2 S/mm Transconductance InAs-Inserted-Channel Modulation Doped Field Effect Transistors with a Very Close Gate-to-Channel Separation of 14.5 nm

スポンサーリンク