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Univ. Leicester | 論文

• 3a-T-6 アニーリングによるSi(100)表面平坦化のモンテ・カルロ・シミュレーション
• 26pXJ-11 Mass gapをもつグラフェン量子ドットにおけるvacuum chargeとその磁場制御(26pXJ 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果・電子相関),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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