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NTT基礎研 | 論文
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- サブミクロン径ショットキ・バリア・ダイオードの研究開発 -サブミリ波帯のデバイス及び金属/半導体界面評価の新しい手段-
- 2a-TA-12 Si-Ge共重合高分子の電子構造
- 26pD-1 微小半導体リング構造のトンネル特性
- 5a-N-4 半導体人工原子の励起状態の単一電子トンネルスペクトロスコピー
- 27p-ZL-4 法人同期半導体レーザのスクイージング特性
- 27a-R-11 多軸モード発振半導体レーザーのスクイージング特性
- 30p-G-1 CuClにおける励起子、励起子分子系のサブピコ秒時間分解分光
- 25aYA-4 量子ドット原子における近藤効果
- 25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
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- 31a-Q-6 半導体人工原子におけるゼーマン効果
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- 直列ポイントコンタクトの非平衡電流雑音特性
- 29p-M-13 2重障壁共鳴トンネルダイオードにおける非平衡電流雑音特性
- 集積型マイクロ変位センサを用いたレーザドップラ速度計測
- フッ素化ポリイミドとSPPを用いた高アスペクト比加工
- 表面光吸収法
- 表面光吸収法によるエピタキシャル成長過程の観察
- 5a-A2-13 AlAs-GaAs短周期原子層超格子のフォトルミネッセンス