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NIST | 論文
- 3a-F-1 Si-MOSFETとGaAsヘテロ構造の量子ホール効果
- 30a-R-4 チューナブル遠赤外光源を用いたメタノール分子の分光
- 30a-R-4 チューナブル遠赤外光源を用いたメタノール分子の分光
- 26pCL-9 中性子散乱法で観た二次元シュウ酸架橋配位高分子のプロトンダイナミクス(26pCL 格子欠陥・ナノ構造・フォノン(金属・ナノ粒子・点欠陥・水素材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 35.4: NIST Colorimetric Calibration Facility for Displays(Report on SID '99 International Symposium)
- 20aAR-6 中性子背面反射型分光器によるリラクサーPMN-30%PTの低エネルギー励起モードの研究(20aAR 誘電体(水素結合/硫安系他,リラクサー,ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21pAK-7 非イオン性界面活性剤のラメラ構造におけるイオンの効果(21pAK エマルジョン・膜・コロイド2,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 26aXS-7 中性子散乱法で観た二次元シュウ酸架橋配位高分子のプロトンダイナミクスII(26aXS 格子欠陥・ナノ構造(水素・炭素系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pEK-14 可動プロトン数と超プロトン伝導との関係 : CsHSO_4及びRb_3H(SeO_4)_2の中性子準弾性散乱(27pEK 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 26aXY-7 籠目格子反強磁性体Rb_2Cu_3SnF_における一重項・三重項励起の磁場依存性(26aXY カゴメ格子・スピングラス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 8pWF-5 低温原子の3体衝突(主題:低速原子衝突と低音化学反応,領域1シンポジウム,領域1)
- 28aEB-6 CsW_2O_6の金属絶縁体転移におけるジグザグ鎖の形成(パイロクロア系,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pPSB-49 Dy_2Ti_2O_7のカゴメアイス状態における磁気モノポールの二次元ダイナミクス(領域3ポスターセッション(量子スピン・フラストレーション・スピングラス・f電子・酸化物・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aKA-11 中性子散乱で観た包接水和物中の水素の拡散ダイナミクス(格子欠陥・ナノ構造(炭素系・金属・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 8pWE-10 トラップされたボーズ気体の集団スピン運動(量子エレクトロニクス,領域1)
- 26pXL-8 C^+イオン電荷移行反応におけるC_3H_4標的分子の異性体効果(26pXL 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))
- 28p-T-3 共有結合性半導体のクラック進展に及ぼす不純物ドープ効果(28pT 格子欠陥)
- 27aPS-107 純良な単結晶によるTb_Ti_O_の長距離秩序の研究(27aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性))
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