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Faculty of Science and Technology Tokyo University of Science | 論文
- 超音波圧電デバイスの無鉛材料化(環境問題と音響技術)
- 23aGH-10 圧力効果と鉄系超伝導体Sr_2VFeAsO_3の^As-NMR測定(23aGH Fe(Se,Te),新規物質等(置換効果,分光等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 非鉛系圧電セラミックスの研究開発動向と将来展望
- ルイス塩基性NbCl_5-SnCl_2-EMIC浴からのNb_3Sn合金膜の電析
- 5V級Li二次電池正極活物質LiMn_Ni_O_4の合成条件による物性, 結晶構造と電極特性の関係
- 高温超伝導体の低温における臨界電流特性の比較
- 定比組成Bi(Pb)2223線材の高T_c化
- Direct Crystallization and Characterization of Bi_3TiTaO_9 Thin Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Premix-PICT 拡散法で作製したMgB_2超伝導バルク体の臨界電流特性に及ぼす微細組織の影響
- c軸配向高密度MgB_2バルクの開発
- 希土類系高温超伝導体の磁気異方性と三軸磁場配向
- 磁気配向法によるc軸配向MgB_2バルクの作製
- 結晶成長方位を変えたY123バルクの特徴
- RE系超伝導体における金属不定比性と超伝導特性
- RE123における点欠陥の要素ピニングカと不可逆磁場
- MgB_2多結晶材料における結晶子サイズ
- 高密度MgB_2バルクにおける Connectivity の制御
- RE123、Bi系超伝導体における最適キャリアドープ状態(2)
- T'-La[2-X]RE[X]CuO[4-δ](RE=Y,Sm,Lu)の物性,結晶構造,導電率の組成,合成プロセス依存
- 泳動電着法によるPb-Zr-Ti-Nb-Si-O系強誘電体厚膜の作製
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