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静岡大学電子工学研究所技術部 | 論文
- In_1-xGa_xP混晶のエピタキシャル成長
- 経験的誘電関数による非晶質材料の分光エリプソメトリ解析
- 高純度GaInAsSb/InAs液相エピタキシャル層の電気的特性
- GeSi混晶厚膜の液相成長と酸化
- 半導体の光学特性のサイズ依存性(I)Ge
- 1)平面型熱電子源を有する平面ディスプレイの基礎的検討(〔テレビジョン電子装置研究会画像表示研究会〕合同)
- 平面型熱電子源を有する平面ディスプレイの基礎的検討 : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
- 4-7 パネルディスプレイ用平面電子源に関するシミョウレーション
- 退職予定者の思い : 今後の技術部に期待する
- 4-9 アモルファスシリコン膜の電子衝撃電流(EBIC)
- YO-YO Solute Feeding法による半導体結晶の成長
- 平面型ディスプレイ用平面状電子源
- 撮像管用ダイオード銃の電子ビーム発散角と電流密度分布
- 高精細度用撮像管電子銃
- 2-3 ダイオード銃における電子ビームの電流密度分布(II)
- 3-6 ダイオード銃における電子ビームの電流密度分布
- 3-4 走査電子密度分布と解像度及び残像
- yo-yo溶質供給法によるGeSiバルク混晶の成長