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静岡大学工学研究科 | 論文
- Lamb波の逆解析によるCFRP材料の非破壊評価
- パラメータフリー遺伝的アルゴリズムを用いたラム波の波源位置評定法の検討
- 弾性表面波の分散性を用いた表面層構造の非破壊評価
- ウェーブレット解析によるラム波の波源位置評定
- ウェーブレット解析による波源位置評定における変換核の影響
- 薄板中を伝播するラム波のウェーブレット解析を用いた位置評定
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AgNi10wt%電気接点対の転移突起成長と電気的特性
- 直流42V-4.2A回路を開閉するAg系電気接点対における材料転移の方向について
- AgNi10wt%電気接点対の転移突起成長と電気的特性
- 直流42V-4.2A回路を開閉するAg系電気接点対における材料転移の方向について
- 直流42V回路を開閉する電気接点対の材料の違いによる突起の成長過程の比較・検討(「ショートノート」(卒業・修論特集))
- 14V-21A回路を開閉するリレー搭載Ag, Pd電気接点対でのアーク転移の方向について(「ショートノート」(卒業・修論特集))
- 直流回路を開閉する接点対に形成される転移突起の接触面上での位置と形状
- 直流回路を開閉する接点対に形成される転移突起の接触面上での位置と形状
- 直流14V及び42V回路内のAgSnO_2電気接点の転移突起に関する研究
- 直流14V及び42V回路内のAgSnO_2電気接点の転移突起に関する研究
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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