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電試 | 論文
- 3p-K-1 立方組織をもつCuNiFe系合金の析出
- NaNO_2の高周波誘電率III : 誘電体
- NaNO_2の高周波誘電率II : 誘電体
- NaNO_2の高周波誘電率 : 誘電体
- 4. 大容量高電圧 OF コンデンサの部分放電試験
- 2p-K-1 YIGの磁歪
- 16B-10 M・O(Al_Fe_)O_3系の磁氣吸收
- Mo・(Al_Fe_lt;2x>)O_3系の磁気吸収(II) : 磁気吸収
- 2E20 ロッシェル塩のマイクロ波誘電率
- 6a-L-9 鉛および窒化物薄膜の超伝導性(I)
- I.F.I.P.62年大会に出席して : 大会出席者を囲む座談会
- Ni doped Siの電気的性質(III) : 半導体
- 4p-L-5 Siの高温熱処理
- 4p-L-3 Ni doped Siの電気的性質 (II)
- 同位体電磁分離器の建設 : IV. 原子核・放射線
- 11p-M-8 100kJθピンチの予備加熱装置
- 11p-M-7 100kJの速いθピンチ装置
- 誘電体(昭和42年度における各専門分野研究活動の展望)
- ソ連における強誘電体の研究より
- SrTiO_3とKTaO_3における光高調波発生 : 量子エレクトロニクス