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電試田無 | 論文
- 4p-N-1 Wilson type quantameterの校正定数
- 平均質量阻止能比のγ線エネルギー依存性 : 放射線物理
- 陽電子に対するNaI(T1)結晶のシンチレーションレスポンスII集光効率による補正 : 放射線物理
- ペアースペクトロメーターによるBrems Strahlung Spectraの測定 I. : 原子核実験 : 装置関係
- 低エネルギー範囲におけるカンターメーターのエネルギー依存性II. : 原子核実験 : 装置関係
- 硫酸水溶液による調湿方法(III) : XXII. 表面物理
- 3a-H-6 Pb,Cu,AlのHigh Energy X-ray Albedo I
- プラスチックシンチレーターの蛍光特性とkBの値 : 放射線物理
- 9p-P-7 電試100KJテータ・ピンチ装置の実験(分光測定)
- 1a-TD-2 モンテカルロ法による高エネルギー電子の物質透過計算 II
- 9a-Q-6 モンテカルロ法による高エネルギー電子の物質透過・反射計算
- 高エネルギー光子による電子の後方散乱 : 放射線物理
- モンテカルロ法によるガンマ線の後方散乱計算 : 放射線物理
- 14p-M-1 γ-線の後方散乱の解析
- カンタメータによるNBS P2 chamberのCalibration : 原子核実験(低)
- 9p-G-6 陽電子に対するNaI(TI)結晶のシンチレーションレスポンス
- シリコン中への金の拡散により生じた欠陥 : 格子欠陥
- 化合物半導体中の欠陥の直接観察 : 格子欠陥
- 9a-M-13 シリコン表面の引っかきにより生じた欠陥
- シリコン中の転位ループの発生(半導体(拡散,エピタキシー)