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電機大理工 | 論文
- 21pWA-4 ビリアル定理を満足するHeitler-Londonの水素分子軌道計算(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 18pXB-3 構造変化したナノチューブの電子構造計算(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYK-8 いろいろなナノチューブの電子構造計算(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30aXH-7 ダイアモンド電子構造計算における半経験的パラメーターの見直し : Lanczos法を用いたクラスタード・リカージョン法(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 21pYM-5 ダイアモンド欠陥の電子構造計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pSH-8 AB 効果の古典論 II : 特殊相対論的扱い
- 20aRC-11 AB効果の古典論
- 29pZF-5 スピン対軌道線形結合法によるクラスター分子の電子構造計算
- 25aYJ-11 スピン対軌道展開による分子軌道計算
- 31a-XE-9 クラスタード・リカージョン法の改良
- 30p-PSA-44 連分数系のカオスII
- 25p-G-17 連分数系のカオス
- 3p-D5-14 平面格子ランダムイジング反強磁性体の基底状態
- 30p-YF-2 ダイアモンドの電子構造計算
- 8a-YJ-9 シリコンの電子構造計算 II : クラスター・ホールド・リカージョン法の応用
- 30p-YH-14 クラスター・ホールド・リカージョン法における実数値分布法の適用
- シリコン表面の電子構造計算
- 31a-M-3 格子欠陥周囲の原子変位-MC法による計算II
- 28a-YA-6 半経験的LCAO分子軌道計算法の改良
- 4a-R-5 クラスター・ホールド・リカージョン法を用いたカーボン・ナノチューブの電子構造計算とLCAO法の改良
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