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電々公社 通研 | 論文
- SiへのNiの固溶度 II : 半導体
- 7p-L-11 SiへのNiの固溶度
- 5p-Q-9 MnBi蒸着薄膜の磁気的性質(II)
- 10a-M-3 ルビーの緩和過程の濃度効果
- 9p-P-3 中性子照射されたCuAu : 薄膜
- 4p-C-12 強〓性酸化物焼結体における低損化機構についての金相学的孝案
- 3p-GB-2 Mn^Fe^_2O^_4のイオン分布の温度変化
- MnFe_2O_4のイオン分布の温度変化 : 磁性(酸化物)
- Mnフェライトの磁気的性質に及ぼす熱処理効果 : 磁性 : 酸化物
- 5p-D-1 アルミホイスラー合金の高温変態と磁性
- 8p-D-4 Mn-Al系強磁性相の生成機構(II)
- 3p-K-10 鉄合金の高温比熱(II)
- 11p-G-10 Fe-rich Fe-Cr合金の高温比熱(I)
- 14a-K-4 量子統計力学による増巾作用の理論
- 10a-B-6 薄膜の異方性軸のaging磁場による回転
- イオン照射したシリコンとタングステン接合の加圧効果 : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
- 7p-E-8 Si空格子点の生成エネルギーおよびV族不純物との結合エネルギー
- 4p-K-3 ゲルマニウム鉄の磁性
- 8a-K-12 純銅の弾性率及び内粍の歪依存性
- 18M-13 入力-出力位相差変化による金属内部摩擦測定