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阪府大院工 | 論文
- 17.鉄触媒による炭素質のCO_2ガス化
- 26aXG-9 量子ベータトロン(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 28pPSA-29 ブロッホ電子のダイナミクスはqubitで理解できる(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pYG-6 多元物質の価電子準位における光電子反跳効果(21pYG 放射光・光電子分光(酸化物),領域5(光物性))
- 21aRH-6 Coherent Destruction of Tunneling, Dynamic LocalizationおよびLandau-Zener公式(量子エレクトロニクス(高強度レーザー・コヒーレント過渡現象・微小共振器),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 20pZA-3 ボロンドープダイヤモンドの価電子帯光電子スペクトルの理論 : 動的CPAによる解析(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
- 25pRB-12 相関Landau-Zenerゲートによるqubit操作(25pRB 量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20aXB-7 赤外強レーザー場中で半導体バンドギャップは縮むか?(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 24aPS-50 高強度赤外レーザーによる半導体バンド変調の理論III(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25pYE-4 2重井戸に・トラップされた理想BECのLahdau-Zener遷移(量子エレクトロニクス(BEC理論・実験),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aXS-8 高強度赤外レーザーによる半導体バンド変調の理論II(領域5,領域1合同 : 顕微・近接場分光,非線形光学)(領域5)
- 29pPSB-20 連続状態の中で起きる準位交差(ソフトマスター・化学物理・生物物理)(領域12ポスターセッション)
- 27aXS-8 高強度赤外レーザーによる半導体バンド変調の理論II(顕微・近接場分光,非線形工学)(領域5,領域1合同)
- 28pPSB-35 局在 2 正孔状態とイオン脱離のダイナミクス
- 20pRC-4 準位擬交差点で強い散逸のある系の厳密な非断熱遷移確率
- イオンビームを利用する可視光応答型酸化チタン光触媒の開発
- ゼオライト細孔内の光化学--最近のトピックスを中心に
- ゼオライトやメソ多孔室シリカ内に構築した遷移金属酸化物種の光触媒特性
- ゼオライトおよびメソポーラスモレキュラー・シープ細孔内に構築した酸化チタン光触媒上での二酸化炭素の水による還元固定化
- 可視光照射下で機能するCr含有シリカメソ多孔体光触媒
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