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阪大 工 | 論文
- 6a-LT-16 GD-a-Siのcharacterization I
- 9a-O-13 中性粒子の検出(IV)
- 4a-P-1 導電性高分子の光電導と光起電力
- 8a-F-13 LiFの低温における中性子照射硬化
- 2p-U-5 高分解能格子像法によるAl-Cu合金のG.P.ゾーンの観察
- 4a-NXE-4 ミラー端を持つ反転磁場配位プラズマ閉じ込め
- 4a-NXE-3 反転磁場配位閉じ込め VI
- 30p-W-19 変調型クォドレーチャー赤外干渉計
- エレクトロリフレクタンス法によるMOS界面特性の測定 (スペクトロスコピ-特集号)
- 11p-F-9 Si-MOSのElectroreflectance
- 30a-QA-4 導電性高分子の接合特性
- 4a-P-8 ポリチオフェンの磁気共鳴
- 4a-P-4 導電性高分子と用いたヘテロ接合の整流特性
- 14a-W-7 p-Zn_3As_2の磁気抵抗効果 III
- 12a-P-3 バナジウム単結晶の臨界電流密度に対するFlexibleな磁束線ピン止めモデルによる解析
- 3p-KC-3 冷間圧廷されたバナジウム単結晶の中性子照射損傷効果
- 3p-KC-2 バナジウム単結晶における臨界電流値の照射量依存性
- 23a-T-7 V単結晶の臨界電流におよぼす高速中性子照射効果
- 3a-TB-3 低温で原子炉照射したイオン結晶の光吸収 II
- 3a-TB-2 低温で原子炉照射したイオン結晶の光吸収 I