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金沢工大工 | 論文
- 27a-P-4 極紫外光電離におけるアセチレンのshape resonance
- 28p-G-8 20〜30eVにおけるH_2の光電子角度分布
- 23aA-9 高密度希ガス媒体における電子一正イオン再結合過程の研究
- 25a-J-11 高密度気体アルゴン媒体中の電子-正イオン再結合過程の研究 : 分子添加効果
- 表面を探る : 2. 表面顕微鏡: Si表面のSTS ( 表面)
- 27p-R-4 STMによるSi(001)面上のGe蒸着膜の微細構造観察
- 2P-E-1 STM/STSによるSi(001)表面のステップ構造とその電子状態の研究
- 28a-S-2 針状試料先端の半導体超薄膜からの電子のトンネル過程
- 5a-R-13 針状試料先端の半導体膜の研究III
- 31p-WC-6 針上試料先端の半導体膜の研究 : 表面の電子状態について
- 14p-DH-3 針状試料先端の半導体膜の研究II
- 30p-G-13 針状試料先端の半導体膜の研究
- 27a-Z-13 A-P・FEESによるGe/Irの組成と電子状態の研究
- 28p-ZF-6 Si(001)上のGeの成長過程のSTMによる観察
- 超高真空仕様の走査型トンネル顕微鏡
- 原子レベルでみた表面構造 (物質のミクロ構造と機能設計)
- STMによる半導体表面の観察と探針評価
- 27a-P-4 走査型トンネル顕微鏡による電導性セラミックスの観察
- 28p-G-6 ライマン・α発光の観測による水素分子の二電子励起状態の光解離過程
- (98)工学基礎科目に対する学習・教育支援 : 授業理解度向上プログラムの実施(第27セッション 工学教育の個性化・活性化システム(II))