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茨城通研 | 論文
- 1a-Pβ-30 強磁場下におけるn-GaSbのシュブニコフ・ド・ハース効果
- 5p-NL-6 n-GaSb(Te)のシュブニコフ・ドハース効果
- 5a-K-4 CdS単結晶のPL-フォノンによる共鳴ブリルアン散乱
- 7p-W-10 CdSの音響ドメインによる共鳴ブリラン散乱と光変調(II)
- 4p-M-5 GHz超音波の打ち込み、モード変換と共鳴ブリルアン散乱への応用(II)
- 4p-M-4 GHz超音波の打ち込み、モード変換と共鳴ブリルアン散乱への応用(I)
- 半導体における共鳴ブリルアン散乱
- 11p-F-8 超音波の打ち込みによるZnSe, ZnTeのブリラン散乱(II)
- 2p-R-13 超音波の打ち込みによるZnSe,ZnTeのブリルアン散乱
- 2p-R-12 CdSの音響ドメインによる光変調と共鳴ブリラン散乱(I)
- 14p-W-5 CdSの音響ドメインによる共鳴ブリラン散乱(II)
- 14p-W-4 CdSの音響ドメインによる共鳴ブリラン散乱(I)
- 3a-KL-13 CdSにおけるブリルアン散乱:間接効果
- 3a-KL-11 CdSにおける反射ドメインによるブリラン散乱
- 25p-H-5 CdSのT_1Modeフォノンによる共鳴ブリラン散乱
- 6p-L-7 CdSの音響ドメインによる共鳴ブリルアン散乱
- 5a-L-3 BaPb_Bi_xO_3の電子輸送現象 II
- 13p-C-1 BaPb_Bi_O_3薄膜粒界ジョセフソン接合の電磁波応答
- 4p-NF-4 BaPb_Bi_O_3薄膜の粒界ジョセフソン電流の特性
- 4a-F-5 NbSe_3の非線形領域におけるノイズ