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筑波大院数物 | 論文
- 23pGL-2 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aHV-13 2次元電子ガス-量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aHL-3 CdSeナノ粒子における量子化オージェ再結合 : サイズ依存性(20aHL 高密度励起現象,領域5(光物性))
- 21pGS-10 高移動度導電性高分子におけるキャリアの電場誘起ESR(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pGT-16 8GPaまでのTTF-TCNQの電気伝導度の異方性(20pGT 一次元系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-7 高移動度ルブレン単結晶トランジスタの半導体界面状態の電子スピン共鳴観測(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGS-2 グラファイト表面の欠陥部近傍における極低温STS計測(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aGR-8 光重合C_ナノチューブの物性(20aGR フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-8 ペンタセンFETデバイスにおける電場誘起ESR信号の温度依存性(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pGV-5 電場誘起ESRによる有機半導体界面の電子状態観測(20pGV 領域7,領域9合同シンポジウム:有機半導体界面における電子状態プローブの新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGR-15 遷移金属内包Siクラスター凝集膜の構造解析(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-6 有機FET材料におけるESR g値の理論的研究(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYC-10 β"型有機導体の電荷揺らぎ相の電子物性(II)(α型,β"型,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aYF-4 β"-(DODHT)_2PF_6の電荷揺らぎ相の電子物性(30aYF θ-ET系等,電荷秩序,非線形伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTC-4 β"-(DODHT)_2Xの交流伝導度測定(22pTC 非線形伝導・電荷秩序・超伝導(θおよびβ-ET系),領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pXJ-13 C_分子ベアリングの超潤滑シミュレーション(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-61 原子サイズの引き剥がし : 理論(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
- 27aVA-12 CdSナノロッドにおける高密度励起効果とオージェ再結合への構造揺らぎの影響(27aVA 高密度励起現象,領域5(光物性))
- Seed-mediated成長法を用いた金属硫化物ヘテロ構造ナノ粒子の合成
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