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筑波大物質エ | 論文
- 23aTG-10 その場光照射によるC60のポリマー化の形態(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aTD-7 C_薄膜の光照射によるポリマー化と弾性特性変化(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 18pXB-9 C_薄膜の光照射及びイオン照射によるポリマー化の比較(ii)(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYK-11 C_薄膜の光照射及びイオン照射によるポリマー化の比較(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pXD-8 弾性測定によるC_薄膜のポリマリゼーションの研究(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aYN-5 弾性測定によるC_薄膜の照射効果の研究(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pXD-7 金ナノ結晶の粒界状態について(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19pXB-8 α-Si(H)のTDS(脱水素)スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aYK-4 a-Si(H)の光誘起構造変化(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pXD-2 弾性測定によるa-Si(H)の光照射効果(II)(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 4p-YG-5 Moの自己格子間原子と不純物原子
- 3a-YG-3 超高純度銅のボルドニー・ピーク
- 25aY-6 非晶質合金における異常通電効果の定量的評価の試み
- 7pSK-4 低温照射した金属ナノ結晶材料の弾性特性(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
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