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筑波大数物 | 論文
- 2p-YG-5 モリブデン酸化物とブルーブロンズの電荷密度波状態におけるコヒーレントフォノン
- 6a-G-19 η-Mo_4O_における電荷密度波状態のフェムト秒分光
- η-Mo_4O_における電荷密度波相転移の時間領域分光測定
- 28a-S-5 高速イオンビームシャドーイング I.固体結合電子分布の解析
- 28pRE-7 SOI技術を用いた新しいX線イメージセンサーの開発II(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pSB-2 SOI pixel検出器用DAQシステムの開発,及び性能試験(27pSB 半導体検出器,MPGD,素粒子実験領域)
- 30aSG-5 シリコンの電気特性に及ぼす陽子線照射の影響
- 3a-A-6 シリコン・マイクロストリップ検出器の信号シミュレーション
- 21aWA-3 SOI技術を用いた新しいX線イメージセンサーの開発(21aWA X線・中性子(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23aSJ-6 SOI pixel検出器におけるセンサー及び回路開発(23aSJ 半導体検出器,素粒子実験領域)
- 27aWL-7 SOI技術によるPixel検出器の開発(27aWL 半導体検出器(1),素粒子実験領域)
- 23a-G-6 JLC補償型カロリメーターIII
- 23a-G-4 補償型JLCハドロンカロリメータのビームテスト-I
- 31a-YS-10 補償型JLCハドロンカロリメータのビームテスト II
- 31a-YS-9 補償型JLCハドロンカロリメータのビームテスト-I
- 28a-XK-10 Si表面における高速イオン誘起KLLオージェ電子の前方収束効果
- 3p-X-3 チャネリング条件におけるイオン励起2次電子放出
- 2a-D-5 チャネリング条件での10-20MeV He^のSiによる後方散乱スペクトル
- 30p-D-1 HgTeの表面組成変化(42MeV-O^の後方散乱法による測定)
- 30a-H-6 高速イオン励起2次電子による固体内価電子分布の解析
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