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神奈川大学 工学部 電気工学科 | 論文
- RFスパッタリング法によるAu/ZnS/Si構造のJ-V特性に関する一検討 : Au:正電圧の場合
- CS-5-6 電界発光素子におけるZnOナノロッドの挿入による低電圧駆動化(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
- A-1-18 二近傍までを用いた補間回路網の終端条件
- C-6-9 AlをドープしたZnOナノロッドの電界放出特性における表面硫化の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-10 ZnOナノロッドの電界放出特性における硫化による表面改質効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-9 ZnOナノロッドの横方向の電界放出(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-8 ZnOナノロッド間隙へのZnS:Mn蛍光体のCVD法による埋め込み(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 ZnOナノロッド上へのZnS成長(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 横方向電圧印加型DCELデバイスの作製における転写とエッチングの導入(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 ZnOナノロッドを組み入れた横方向電圧印加型直流ELデバイス(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-3 ZnOナノロッド上へのZn(O_S_x)成長(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-6 ZnOナノロッド上へのZnS/ZnO成長(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 ZnOナノロッドのCVD成長前のレーザアブレーション時のZn蒸気供給の効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-1 ZnOナノロッドを挿入したAC-EL素子の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 A1ドープしたZnOナノロッドを挿入したAC駆動型無機電界発光素子(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-3 CVD-ZnOナノロッド成長におけるMnレーザアプレーションの効果(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-2 ZnOナノロッドのCVD成長前のZnOレーザアブレーションの効果(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 ZnOナノロッドの挿入したAC駆動型無機電界発光素子の特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-5 2段階成長による高配向ZnOナノロッドの細径化(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-2 DC駆動型無機電界発光素子におけるNi層の挿入による発光領域の均一化(C-6.電子部品・材料,一般講演)
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