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産総研ユビキタス | 論文
- 20pAH-9 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 金属の粒界・欠陥への適用(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 19pAR-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム表面の原子・電子構造(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pXS-2 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 金属粒界や異相界面への適用(27pXS 格子欠陥・ナノ構造(招待・理論・電子論・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム吸蔵/脱離二相界面の原子・電子構造(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- PA09 減圧下における中空シリカマイクロカプセルへの5CBの注入(化学・材料,ポスター発表,2012年日本液晶学会討論会)
- 2b01 液晶性フタロシアニンブレンドとPCBMの混合系における熱相転移とキャリヤ移動特性(分子配向エレクトロニクス,口頭発表,2012年日本液晶学会討論会)
- 3b02 長鎖アルキルアゾベンゼンートリフェニレン誘導体同族列の熱相転移及び光相転移特性(ソフトマター,口頭発表,2012年日本液晶学会討論会)
- 2b02 非対称ジアルキルチエニルナフタレン(8TNAT8)混合物の液晶性と電荷輸送特性(分子配向エレクトロニクス,口頭発表,2012年日本液晶学会討論会)
- 801 局所エネルギー密度・応力密度による結晶粒界の第一原理解析(OS8.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),OS・一般セッション講演)
- 25aKA-5 第一原理計算によるLi_2TiO_3の原子・電子構造(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25aKA-6 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 鉄粒界への適用(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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