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産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門 | 論文
- しきい値電圧をプログラム可能な超低消費電力FPGA用デモシステムの開発(デバイスアーキテクチャと性能評価技術)
- 磁性体超薄膜の磁気光学効果に見られる量子サイズ効果
- 25aPS-76 単結晶Ba_K_xFe_2As_2のK高濃度領域の^As-NMR/NQR II(25aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- CT-2-5 低電圧SRAMデバイス技術(CT-2.サブ0.5V時代に向けた低電圧・低電力メモリ技術,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 21aGA-5 鉄系超伝導体Ba_K_xFe_2As_2の^As核NMR(21aGA 鉄砒素系5(磁気共鳴・中性子),領域8(強相関系:高温超伝導強相関f電子系など))
- 27pEM-11 価数スキップ・引力アンダーソンモデルにおける超伝導と電荷近藤効果(27pEM 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- C_-Coグラニュラー薄膜中におけるCoナノ粒子の電気磁気効果による巨大な磁気抵抗効果(映像情報機器、一般)
- 8aWA-1 Cr(001)超薄膜を挿入した強磁性トンネル接合のTMR効果(トンネル磁気抵抗・メゾスコピック伝導,領域3)
- 14nm世代以降に向けたアモルファス金属ゲートによるFinFETのV_tおよびG_mばらつき抑制技術(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- C-3-16 1.55μm光通信波長帯におけるアモルファスシリコン細線光導波路の自然ラマン散乱観測(シリコンフォトニクス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Independent-Double-Gate-FinFETの1/fノイズ特性に関する研究(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 小特集編集にあたって(酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望)
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