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理研基幹研:crest-jst | 論文
- 21aGT-3 単一成分分子性導体Cu(tmdt)_2の有効モデルとp-d混成(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aGT-3 一次元π-d系の有限温度相図(23aGT π -d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGT-4 分子性導体の電荷秩序と誘電性(21pGT 領域7,領域8,領域10合同企画講演,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGT-4 分子性導体の電荷秩序と誘電性(21pGT 領域7,領域8,領域10合同企画講演,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pTF-11 擬一次元分子性導体の有限温度における電荷秩序状態の性質 : 数値的手法とボソン化法を組み合わせた解析(TM系,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22pRB-13 擬1次元分子性導体における電子格子相互作用系の数値的研究(ゼロギャップ・1次元系,領域7,分子性固体・有機導体)
- 単一分子性伝導体の構造と電子状態 (生物物質科学--金属を含む分子系を中心に 特集号) -- (pπ-d系分子化合物)
- 23pRB-4 Au(tmdt)2の電子構造と反強磁性状態(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 28pYC-3 一次元π-d系における電荷秩序と有限温度物性(π-d電子系,磁性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 29pTD-3 β-A_V_2O_5の有効モデルと金属絶縁体転移(29pTD V酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pTC-3 1/2-filledからずれたκ-ET_4Hg_X_8(X=Br,Cl)における不整合反強磁性状態(23pTC κ-type・非整合系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pTC-2 充填率1/4からずれた2次元分子性導体の金属絶縁体転移 : 平均場近似による考察(23pTC κ-type・非整合系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pTF-12 DI-DCNQI_2Agにおける電荷フラストレーションと新奇電子格子結合秩序化(θ-ET系・電荷秩序,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRA-2 分子性導体における拡張ハバードモデルによる理論研究およびその展望(若手奨励賞受賞記念講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19aRA-3 単一成分分子性金属Ni(tmdt)_2およびAu(tmdt)_2の電子状態(dmit,理論,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pYF-17 擬一次元分子性導体の示す電子格子複合物性の数値的研究(23pYF TMTSF/TMTTF系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pRB-17 充填率1/4擬一次元分子性導体の電荷秩序に対する鎖間平均場を用いたアプローチ(28pRB TMTSF/TMTTF系等,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pRB-16 擬一次元分子性導体の有限温度物性の数値的研究(28pRB TMTSF/TMTTF系等,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pWB-6 フラストレーション下の電荷秩序系の性質(ET塩(β,θ),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pSA-7 幾何学的フラストレーションによる電荷秩序の量子融解 : 電荷秩序近傍の新しい問題(領域7, 領域8合同シンポジウム:電荷秩序近傍の新しい電子相,領域7(分子性固体・有機導体))
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