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理研:東大工 | 論文
- 8a-B-8 高エネルギーイオンによるGe單結晶のスパッタリング
- 20pFB-6 共鳴トンネル電流に対するスピン一重項電流閉塞の効果(20pFB 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXQ-7 スピンブロッケイドの電流閉塞状態の遷移と電流の2値的振る舞い(28pXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pDD-6 量子ポイントコンタクトを用いた量子ホールエッジ状態におけるエネルギー緩和の観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))