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物質・材料研究機 | 論文
- 20pPSB-54 ディスク状単層InAs量子ドットにおけるフォトンエコー(20pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSB-33 膜厚を精密制御したGaP:Nを用いた窒素由来発光中心の起源解明とその光物性(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 20pHK-5 単一発光中心の精密分光によるGaP中NN発光の起源解明とその利用(20pHK 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 22aPS-64 窒素をδドープしたGaPの単一等電子トラップ分光II(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 23aYJ-4 窒素をδドープしたGaPの単一等電子トラップ分光(微粒子・ナノ結晶・低次元物質,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTR-5 GaP中の単一窒素等電子トラップによる単一光子発生(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 27pYB-3 Double-cap成長法によるInAs/InP量子ドットの界面構造の断面STM観察(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pTR-3 InAs/InP量子井戸及びディスク状量子ドットにおける励起子輻射再結合寿命(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 24aRA-8 原子層レベルの離散的高さ分布を持つディスク状InAs量子ドットの時間分解発光分光(24aRA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 23pRB-7 GaP:N中の二軸異方性単一窒素ペアの磁気光学(23pRB 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 27pBL-1 GaAs:N中の単一発光中心のフーリエ分光による発光均一幅の測定(27pBL 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
- 27pEJ-9 GaAs:N中の単一不純物発光中心のフーリエ分光測定(27pEJ 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
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