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横浜市大文理 | 論文
- 25p-PS-53 Si(111)超格子表面上のSi薄膜の表面構造形成 II : 成長条件と表面構造
- 29aB11 有機物質の真空蒸発過程における蒸気圧測定(有機結晶II)
- 25a-B-9 Si(111)超格子表面上のホモエピタキシャル成長
- 11a-L-4 半導体結晶中のキンクの構造の計算
- 30p-SG-18 電子線照射により半導体結晶中に導入された転位ループの安定性
- 30p-E-2 XPS異常スペクトルに対するShung-Langrethの相関効果
- 30p-L-7 固体^3Heのexchange parameterの体積依存性
- 3a-M-1 単純金属における吸収・発射スペクトル端異常の周波数依存性
- 4a-PS-33 Si(111)超格子表面上のSi薄膜の表面構造形成
- 30p-TA-3 Si(111)-7×7表面上のa-Si極薄膜のLEED
- 5a-T-5 固相エピタキシーにおけるSi表面の構造変化 : 下地からの方位近接効果
- 4a-B4-1 固相エピタキシーにおけるSi表面の構造変化III
- 真空蒸発法による高分子薄膜の成長
- 28a-J-7 アモルファス半導体膜の構造形成
- 3p-WA-5 アモルファスSb蒸着膜の結晶化過程
- 5p-E-2 低速電子線の表面波共鳴とエネルギー損失スペクトル:Si(O01)
- 3a-P-8 アモルファスSb蒸着膜における六角板状結晶の生成条件III
- 3p-RJ-7 低速電子線の表面波共鳴と表面プラズマ:Si(111)
- 1a-KD-1 アモルファスSb蒸着膜における六角板状結晶の生成条件
- 11p-A-13 超周期構造に関連した低速電子線励起による表面プラズマの分散測定