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東理大 理 | 論文
- 27a-N-4 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物II
- 金属ひげ結晶の接触による形態変化 : モルフォロジーI
- 29a-B-5 半絶縁性 GaAs の低温における電気伝導
- 31p GG-6 MHSeO_4 (M=Rb, Cs) 相転移
- 大量生成金属ひげ IX : 結晶成長
- 12p-K-3 (NH_4)_2SO_4の双晶面の運動とその機構
- 30a-J-7 加工直後の銅における電気抵抗変化
- VLS成長微結晶の形態安定性 : 成長機構II
- 5a-DQ-9 ビスマス中の転位と帯磁率
- 4a-AE-9 ReO_3熱膨張率
- 3p-CE-3 ビスマスの帯磁率の測定 II
- 3p-CE-2 Biの低温における降伏応力の異常
- 9a-P-3 Biの融点近傍における比熱の測定(II)
- 5a-M-10 ビルマスの融点直下における比熱の異常
- 6p-Q-8 低温領域でのBi単結晶の降伏点の温度依存性
- 12a-N-10 ビスマスの転位の活性化エネルギーの異方性
- 28pXG-2 イジングスピン鎖上で実現される多q-bit論理演算(量子エレクトロニクス(量子情報理論))(領域1)
- 2p-E-10 液体Biの陽電子消滅角相関
- 4a-M-6 Bi単結晶の臨界剪断応力の温度依存性
- 11p-Q-2 Biの臨界剪断応力の温度依存