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東工大院理 | 論文
- 20aWB-5 半導体量子アイランド中の励起子四光波混合 II
- 29aYE-6 半導体量子アイランド中の励起子四光波混合
- 26pYH-15 MBE法で作製したbeta-FeSi_2薄膜の光吸収係数(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
- 25aPS-71 GaAs単一量子ドットの励起子発光の強度相関(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20pPSB-10 半導体単一量子ドットの発光の時間分解測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-93 半導体単一量子ドットの多励起子構造(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-90 単一GaAs量子ドットのエネルギー準位構造及びドット内キャリア交換エネルギーの測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 12aXD-8 GaAs 単一量子ドットにおけるフォトルミネッセンススペクトルの磁場依存性(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 28aXS-11 単一GaAs量子ドット内キャリアー相関(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
- 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
- 20aTJ-3 SHG-FROG 法を用いた GaAs 中の透過パルス位相測定
- 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
- 24aXA-4 量子ホール系におけるエッジマグネトプラズモン伝導の磁場依存性(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25pPSB-60 単一GaAs量子ドットの多励起子準位構造の研究(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 25pPSB-64 チップ増強ラマン分光法を用いた半導体ナノ構造の観察(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 24pRC-16 四光波混合法によるZnSeの時間分解スペクトルの測定(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
- 23pRE-9 異方的量子ドット内の荷電励起子分子による量子もつれ(23pRE 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 22aWA-10 多量子ビットの位相緩和解析(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 12aXD-9 ラマン分光による InGaAs 量子ドットのバリア障壁の解析(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 19pRG-5 GaAs単一量子ドットの発光スペクトル
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