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東工大像情報 | 論文
- 12aYC-8 横磁化測定による強磁性半導体の磁気異方性の研究(磁性半導体, 領域 4)
- 23pY-7 内殻励起によるサイト選択的化学結合切断の可能性
- 25p-YM-4 弾道電子放射顕微鏡によるAu/CaF_2/n-Si(111)界面の研究(III)
- 7p-E-4 内殻励起による表面分子のサイト選択的光分解反応
- 12pWB-8 (Ga, Mn) As 薄膜の交流磁化率と磁気異方性(化合物磁性, 磁性半導体・絶縁体, 実験技術開発, 磁気共鳴一般, 磁性一般, 領域 3)
- 27aYA-4 (Ga,Mn)As薄膜における[110]一軸磁気異方性とキャリア濃度の関係(磁性半導体)(領域4)
- 27aPS-41 (Ga,Mn)As薄膜におけるアニール効果の磁気伝導評価(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
- (Ga, Mn)As薄膜における磁気異方性のアニール効果
- (Ga, Mn)As薄膜における面内磁気抵抗の温度依存性
- 21pPSA-16 (Ga, Mn)As 細線の磁気抵抗と磁気異方性
- 原本性保証電子保存システムの開発 -システムの構築-
- 化学堆積法による光導電性アモルファスシリコン薄膜の作製 (薄膜の形成と構造)
- GaP/AIP短周期超格子の磁気発光スペクトル
- 合成法による反射型顕微鏡画像の焦点深度の増大
- 27pXF-2 超伝導体/希薄磁性半導体接合への非平衡キャリア注入効果(27pXF 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設
- 磁化の光誘起才差運動(実験)
- 24pZC-7 III-V族強磁性半導体における光誘起Mnスピン歳差運動(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12pXA-4 III-V 族強磁性半導体における光誘起磁化ダイナミクス(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
- 12pXA-4 III-V 族強磁性半導体における光誘起磁化ダイナミクス(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
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