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東大工:JST-TRIP | 論文
- 微量元素ドープによるBi(Pb)2212単結晶の臨界電流特性の改善
- 23pWG-8 La_Sr_xMnO_単結晶の結晶構造と磁気特性の過剰酸素量依存性(Mn酸化物,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- RE123溶融凝固バルクにおける微量Co置換効果
- REBa_2Cu_3O_y溶融凝固バルクにおけるC置換効果
- RE123の磁場中臨界電流特性に対する希薄ドーピング効果
- RE123円柱状溶融凝固バルクの臨界電流特性と結晶性
- 24aWG-5 Bi_2Sr_2CaCu_2O_yにおける時間分解ラマン分光(高温超伝導(ARPES(II),ラマン散乱,トンネル分光),領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 高密度MgB_2バルクの力学特性
- 24aZR-5 Hg(Re)Ba_2Ca_Cu_nO_y(n=2,3,4)の単結晶育成と臨界電流特性(24aZR 高温超伝導(輸送現象・光学応答2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 磁場配向法によるc軸配向MgB_2バルクの開発
- 24pWH-7 Sr_2(Mg,Ti)FeAsO_3の^As-NMR測定(24pWH 鉄砒素系超伝導(NMR),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 銀添加MgB_2線材の低温合成
- 希薄REドープによるBi系超伝導体の臨界電流特性の改善
- C添加高密度MgB_2バルクの作製と臨界電流特性
- 高密度MgB_2バルクの高臨界電流特性化
- MgB_2多結晶体における電気的結合度と臨界電流密度の制限機構の評価(2) : 電気的結合度と臨界電流密度の関係
- MgB_2多結晶体における電気的結合度と臨界電流密度の制限機構の評価(1) : パーコレーションモデルによる電気的結合度の解析
- MgB_2バルクにおける臨界電流特性の温度依存性
- 広い温度領域のMgB_2のピンニング特性
- RE123、Bi系超伝導体における最適キャリアドープ状態
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