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東北大RIEC:東北大CSIS | 論文
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-3 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(表面磁性,領域3,領域9合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pRA-9 MgO被覆された垂直磁化薄膜における磁気異方性の電界効果に関する第一原理計算(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- ホイスラー合金/半導体界面の電子状態計算
- 高スピン偏極ホイスラー合金Co_2(Cr, Fe)Alの電子状態計算
- 19aCC-11 鉄/金属窒化物(炭化物)膜の界面磁気異方性(19aCC スピントロニクス(熱・力学的スピン・磁化制御),領域3(磁性,磁気共鳴))