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東北大選研 | 論文
- 化合物半導体バルク単結晶成長と不純物・固有欠陥制御 (特集 材料の進歩と測定技術の進展)
- 半導体 ZnSe単結晶の成長(5)励起子発光による評価
- 半導体 オプトエレクトロニクスデバイス用β-FeSi2(1)バルク結晶成長
- 半導体 放射線検出素子用材料(7)α-HgI2単結晶の気相成長
- 半導体 放射線検出素子用材料(6)ガンマ線スペクトロメトリ-用検出器
- 技術動向 半導体--放射線検出素子用材料(4)CdTe単結晶の成長方法
- 半導体 放射線検出素子用材料(3)CdTeの基本的性質と状態図
- レアメタル--オゾンを利用した新しい湿式プロセス(2)MnO2微粒子の作製
- レアメタル--オゾンを利用した新しい湿式プロセス-1-酸化剤としてのオゾン
- レアメタル--高品位半絶縁性InP-4-高圧アニ-ルによる半絶縁性化
- 2a-A-7 高純度ZnSeのサイクロトロン共鳴(II) : 温度依存性
- 5a-YB-6 気相成長ZnSeの欠陥評価
- ZnSeの結晶評価と完全性の向上について
- InドープZnSxSe(x=0.1)単結晶の成長とフォトルミネッセンス
- 1a-KC-13 高純度ZnSeのサイクロトロン共鳴
- 金属中極微量不純物の高感度放射化分析
- 3d遷移金属の高純度化について(トピックス)
- 6p-P-7 高純度鉄の作成とその極低温電気抵抗
- 鉄の高純度精製
- 再び高純度鉄の製造に成功