スポンサーリンク
東北大学際セ | 論文
- 25aYH-9 Si(111)7×7表面上のAg原子の拡散及びクラスター形成過程(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSB-50 H/Si(111) 1×1 表面上の Ag ナノクラスターの成長過程
- 2p-X-9 Cd_Mn_Seにおけるp-d, d-d交換相互作用の圧力依存性
- 30a-Z-9 高圧下におけるCd_M_xSe(M=Mn, Co)のd-d交換相互作用
- 30pYB-3 Si電極を用いた水素発生と表面状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 光エネルギー変換を目的としたストラティファイド薄膜の作製
- 22aPS-56 ZnOナノ構造体の高密度励起子発光に対する光照射効果(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26aPS-47 ZnOナノ構造体の高密度励起子発光のダイナミクス(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 28aPS-55 ZnO薄膜における2光子吸収による高密度励起子発光のダイナミクス(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-56 ZnO薄膜における励起子-励起子散乱発光のダイナミクス(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 30aPS-53 ZnOエピタキシャル薄膜における高密度励起子状態のダイナミクス(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 22pPSA-21 ZnO エピタキシャル薄膜における高密度光励起キャリアの緩和と拡散
- 17pRE-5 ZnOエピタキシャル薄膜における励起子・励起子分子のダイナミクス
- 28pYA-10 ZnOエピタキシャル膜における高密度キャリアによるバンドギャップのエネルギーシフト
- 23pN-14 ZnOエピタキシャル薄膜における励起子分子の発光II
- 23aN-11 光カーゲート法によるZnOエピタキシャル薄膜の時間分解発光分光
- 23aWS-8 Si(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 溶液析出法によるCds薄膜光触媒の調製と反応活性
- ポリオールプロセスを用いた金属微粒子の製造およびサイズ制御
- 29pYX-13 λ-(BEDT-TSF)_2Ga_Fe_xCl_4の金属状態における異常 : 比熱
スポンサーリンク