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東北大学際セ | 論文
- ナトリウムフラックス法により成長したGaN単結晶および多結晶の光電気化学特性(E)
- 23pPSB-14 ZnOナノ構造体の高密度励起子による誘導放出発光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 27aRD-11 水素及び重水素終端Si(111)-(1×1)の表面フォノン(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aWD-6 レーザーアブレーションによるSiI_4の重合反応の理論的解析(24aWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28aXE-9 シクロヘキサシランとシリコン表面の相互作用
- 24aPS-55 Si(111)7×7表面におけるシクロヘキサシランの振動状態と吸着構造
- 25pE-10 κ-(BEDT-TSF)_2FeCl_4の ^1H-NMR
- 31a-XB-9 κ-(BEDT-TSF)_2FeCl_4の磁気抵抗異常
- ワイドギャップ半導体基板の新展開
- 多元系光機能材料の新展開 : 太陽電池と発光材料
- 24pYG-10 λ-(BETS)_2FeCl_4の磁気トルクII
- 24pR-15 λ-(BETS)_2FeCl_4の磁気トルク
- 18aPS-34 ZnOエピタキシャル薄膜の高密度光励起状態のダイナミクス
- 28pYA-9 光カーゲート法によるZnOエピタキシャル薄膜の時間分解発光分光II
- 25aYH-8 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXB-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究II(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aTD-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXL-5 高品位H:Si(111)1×1表面作成法と表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aWH-6 D:Si(111)1×1の表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-37 水素終端Si表面の改質とHREELS測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
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