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東北大学医療技術短期大学部 | 論文
- 電子固有状態間における量子力学的直交性の物理的解釈に関する一考
- Ge-GaAs-ZnSe半導体系列におけるコンプトン散乱B(γ)関数の異方性
- 半導体コンプトン散乱B(γ)関数における価電子イオン結合度に対する線形性
- 内殻遮断パラメタのないイオンモデルポテンシャルの試み
- コンプトンB(γ)関数上への原子像の出現とその解釈モデル
- 粉末半導体の電子運動量密度, コンプトンプロファイルに対する等方性成分シミュレーション
- Ge-GaAs-ZnSe系列におけるコンプトンB(γ)関数の電子結合依存性
- 古巣近くで出る電子の昔の癖とその効用 : ガンマ線コンプトン散乱の物性顕微鏡的効果について(第5回医療短大研究会)
- 半導体系列Ge, GaAs, ZnSeにおける価電子結合性の変化が及ぼす電子運動量密度分布への効果
- ポジトロン消滅A(γ)-関数マップ上の内殻電子直交化パターン
- コンプトンB(γ)-関数に現れる単位胞内原子像 : "コンプトン顕微鏡"?
- シリコンの価電子コンプトンファイルに対する内殻電子直交化効果
- 陽電子消滅とコンプトン散乱の結合 : 電子分布の影響を軽減した陽電子自己相関関数の導入
- 半導体中の価電子-陽電子対の運動量密度分布に対する内殻電子直交化の効果
- 半導体陽電子消滅角相関の計算に対するフーリェ逆変換法
- 座長集約(フラッシュ X 線 (I), 東北部会)
- 46.セグメント法によるMTF測定の格討 : 画像理論-1
- アメリカナショナルマイクロスケールケミストリーセンターの一般化学ワークショップ(マイクロスケール実験の広場(その 4))
- 高校化学スモールスケール実験のアンケート調査(マイクロスケール実験の広場(その 3))
- 陽イオンの定性分析におけるマイクロスケールの予備実験(マイクロスケール実験の広場(その 2))