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東京大学大学院理学系研究科物理学教室 | 論文
- 22pGL-4 シリコン上コバルト薄膜の磁気光学Kerr効果測定(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-4 シリコン上コバルト薄膜の磁気光学Kerr効果測定(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20pGQ-10 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-11 Si(111)4×1-In表面の相転移と欠陥の効果II(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aTG-11 極薄Si酸化膿上Geナノドットの伝導機構の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-10 金属蒸着したシリコン表面上の電気伝導度異方性(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pYB-4 Au/Si(553)表面の表面電気伝導度の温度依存性(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pXC-3 CoSi_2ナノワイヤの電気伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWP-6 Au/Si(557)表面の電気伝導度の異方性(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 結晶表面上単原子ステップの電気抵抗
- 23aYH-9 In/Si(111)-√×√表面超構造の金属伝導と絶縁体転移(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31pZE-4 マイクロ 4 端子プローブ法による表面相転移での電子輸送の研究
- 29a-J-13 Si(111)表面の構造と光電気伝導
- 2p-PSA-30 Si(111)表面電気伝導に及ぼすAgとAuの蒸着速度の影響
- 31a-WC-6 Si(111)5x2-Auの表面電気伝導とバンドベンディング
- 14p-DJ-5 Si(111)上の表面構造に依存した電気伝導とバンドベンデイング
- 24aXB-6 PtIr被覆カーボンナノチューブ探針を用いたSi(111)-√×√-Ag表面の電気伝導測定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-4 Mn吸着したSi(111)√3×√3-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 単原子ステップを通過する表面自由電子
- 4探針STMで何ができるのか (走査プローブ顕微鏡で見る固体物理 特集号) -- (輸送現象)
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