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日本電気基礎研究所 | 論文
- 表面トンネルトランジスタにおける負性抵抗特性の評価
- サイクロアミロースの分子モデリングとシミュレーション : 酵素
- 二電子積分演算装置の開発
- 分子軌道法の基礎理論とその応用
- 28a-YK-10 C_超伝導体のアルカリ金属のNMR
- 28a-YK-9 C60超伝導体のNMRと静帯磁率
- 29p-T-1 A new approach to the quantum molecular dynamics
- 26a-G-5 圧力下GaAs中Si不純物周囲の格子歪み:DXセンタ?
- 25a-YR-8 第一原理計算による水銀55量体の金属化の研究
- 12a-DJ-12 水銀クラスターの構造と電子状態
- CO/Pt(111),CO/W(110)系のクラスタ-モデルによる理論計算-3-PtとWの比較 (〔触媒学会〕第70回触媒討論会予稿)
- Pt(111)表面へのCO吸着のクラスタ-モデルによる理論計算 (第67回触媒討論会講演(予稿))
- 側抑制ニューラルネットワークを用いた幾何学的視覚モデル
- 数値計算によるSi融液中の熱と物質の輸送現象の理解 : 融液成長VI
- 溶融GaAsの粘性係数 : 組成依存性 : 融液成長I
- 企業研究におけるシミュレーションの役割と条件 : 新薬開発を事例として(ラボラトリー)
- アプリケーションプログラム開発における新しい潮流 : download(取得型)からupload(参加型)への移行を目指して
- 静電場トポロジーによる新しいグラフィックスと化学反応への応用
- クラス分けされた流線による分子近傍の静電場の描画方法
- 4.化学分野におけるスーパーコンピューティング (最先端の科学技術とスーパーコンピューティング)