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日本工大工 | 論文
- 22aPS-94 Pr_Gd_xSn_3(x=0.03)のGd^ESRによる一重項基底状態Pr^の結晶場の同定
- 25aX-14 Sr_TiO_3及びSrTi_Nb_yO_3におけるソフトモードフォノンによる異常抵抗効果
- 23aPS-83 ESRによるCuGeO_3系のスピンギャップの究明
- 23aPS-46 ESRをプローブとしたLa_Er_ySr_xCuO_4中のEr^と伝導電子、フォノンとの相互作用
- 25pYP-12 低磁界でのマイクロ波吸収をプローブとした超伝導ボルテックス・ダイナミックスII
- 25pYP-11 低磁界でのマイクロ波吸収をプローブとした超伝導ボルテックス・ダイナミックスI
- 24pPSB-17 一重項基底状態系PrIn_3中のPr^の結晶場及び磁性 : 不純物CdのESR及び電気抵抗をプローブとして
- 30p-PSA-43 超伝導薄膜(YBa_2Cu_3O_y/MgO)による交番磁界(100kHz、9GHz)の乱れ及び減衰
- 30a-PS-65 Ln_A_xMnO_3(Ln:La、Pr;A:Ca、Sr)中のMn ESR及びマイクロ波電気抵抗の温度依存性
- 7p-PSB-16 Y_Ba_Cu_O_yの焼成によるY_2BaCuO_生成のESRによる定量分析
- 7p-PSA-8 YBa_2Cu_3O_y薄膜 on MgO基板の非共鳴吸収
- 5p-PSB-5 La_Sr_xMnO_3中のESR挙動の温度依存性
- 1C42 脊柱固定用ねじの引き抜き力と締め付け力(1C4 骨の修復・再建)
- ゲルマニウム酸鉛のメモリ応用に関する研究-2-強誘電体(Pb5Ge3O11)-光電導体(PVK)光学メモリにおける書込み特性の解析
- Pb5Ge3-xSixO11の飽和分極の印加電場依存性〔Pb5Ge3-xSixO11分極反転特性に関する研究-1-〕
- 5PbO・3GeO_2単結晶の引き上げ育成における結晶回転数の形態におよぼす効果 : 融液成長
- 接点開離時のア-ク発生領域
- 接点開離時の初期アークの発生について