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慶應大理工 | 論文
- 23aHW-2 狭ギャップ半導体におけるスピンホール効果及びスピンネルンスト効果(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSA-26 非接触領域における極低温ナノスケール摩擦・トンネル電流の測定(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHX-12 ナノ多孔質Gelsilガラス中^4Heの超流動の強い抑制(23aHX Restricted geometry,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 23aHX-3 周期的ナノ構造中ヘリウム4の超音波測定(23aHX Restricted geometry,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20aTD-1 誘電体界面で反射・透過した軌道角運動量をもつ光の角運動量保存則(20aTD 量子エレクトロニクス(精密分光,光の性質),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pA16P シース電位で変形された電子速度分布のイオン化反応係数への影響(プラズマ基礎, (社) プラズマ・核融合学会第21回年会)
- 非可換ゲージ理論と位相不変量 : U(n)ゲージ理論のインスタントン数(場の量子論 2002,研究会報告)
- 30aSF-5 ユークリッド空間上のインスタントンの非可換変形(30aSF 量子力学,非可換時空,ブレーン,重力,素粒子論領域)
- 29pSD-2 ファイバーコムによるメタン飽和吸収線の周波数測定(29pSD 量子エレクトロニクス(冷却分子・光周波数標準),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- ピロール導入オスミウム錯体を用いるグルコースセンサの特性評価
- オスミウム錯体を用いるポリマー修飾グルコースセンサーの試作とその電気化学的特性評価
- 24pWH-6 磁場下におけるSmNiC_2の電気抵抗と磁気転移(遷移金属酸化物・化合物,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 20aWF-7 X線非弾性散乱によるSmNiC_2のフォノンのソフト化の観測(20aWF 遷移金属化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aZR-12 SmNiC_2における変調構造と電気伝導(25aZR 近藤半導体,価数揺動等,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aPS-74 粉末X線回折によるFe_2BO_4の電荷秩序と構造変化(領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pSG-6 モノポールモジュライ空間に拡張されたVafa-Witten理論
- 30p-PS-23 希土類金属を含む結晶の磁気弾性効果による変調効果
- 30a-H-6 塩素架橋白金錯体の結晶構造欠陥
- 27a-F-14 磁気弾性効果によるTm結晶格子の変調構造
- 29aSA-5 ^Be と ^C における第一励起状態から基底状態への換算転移確率
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