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広島大放セ | 論文
- Efficient spin resolved spectroscopy observation machine at Hiroshima Synchrotron Radiation Center
- Quasiparticle interference on the surface of Bi2Se3 induced by cobalt adatom in the absence of ferromagnetic ordering
- Electrical and Magnetic Properties of R_3Al_ (R=La, Ce, Pr, and Nd)
- 25pBJ-3 トポロジカル絶縁体TlBiSe_2の放射光を用いたスピン角度分解光電子分光(25pBJ トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pBJ-7 MnドープBi_2Te_3の内殻吸収円二色性分光(25pBJ トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aGB-4 HiSOR準周期APPLE型アンジュレータのパーフォーマンス(25aGB 光源・ビーム源・ビーム診断・真空,ビーム物理領域)
- 27aBB-2 高機能・高効率スピン角度分解光電子分光が開くスピン電子物性研究の新時代(27aBB 領域9,領域5合同シンポジウム:放射光光電子分光による最先端表面研究,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aEA-11 MnドープBi_2Se_3の磁性と電子状態(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aEA-10 Bi_2Te_2Se及びBi_2Se_2Teのスピン分解光電子分光(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pCK-2 Bi(111)表面のC_対称性による異方的Rashba効果(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXK-3 W(110)表面電子状態のC_対称性による平らなディラックコーン(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-4 トポロジカル絶縁体TlBiSe_2のバルクキャリア制御された単結晶育成と表面状態の観測(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-2 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_2Seのスピン偏極表面電子状態(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSA-39 高分解能3次元スピン分解光電子分光装置の開発(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
- 28pXG-7 バルクキャリアドーピングによるTlBiSe_2トポロジカル表面状態のスピンヘリシティ制御(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXG-6 トポロジカル絶縁体GeBi_2T_4のスピン角度分解光電子分光(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Bi₂Te₂SeとBi₂Se₂Teの高効率スピン角度分解光電子分光 (第32回表面科学学術講演会特集号(1))
- 28aDD-10 偏光依存スピン角度分解光電子分光を用いたトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3における表面状態のスピンテクスチャーの研究(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aDD-11 非層状物質三元トポロジカル絶縁体TIBiSe_2の勢開最表面の決定(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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