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山梨大教育 | 論文
- 28a-E-19 強磁場下に於けるBiI_3の励起子の磁気光効果 IV : 積層欠陥励起子
- 23pXB-8 ステップ付近でのRHEED電子強度分布(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aRJ-5 RHEEDの表面原子位置に対する感度の理論的見積もり(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXJ-1 RHEED電子密度の入射角依存性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- A. Ichimiya and P. I. Cohen, Reflection High Energy Electron Diffraction, Cambridge Univ. Press, Cambridge, 2004, xi+353p, 25.3×17.8cm, 本体23,020円, [大学院向]
- 25aYH-4 Si(100)からの2次電子放出の表面再構成構造依存性(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-7 RHEED波動関数からみた表面プローブ深さの入射角依存性(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aYE-7 RHEED波動関数による二次電子収率角度依存性の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pXC-11 RHEED波動関数の表面局在(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28aWP-7 表面波共鳴条件下でのRHEED電子密度分布(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 20pYD-14 Si(100) 面における 2 次元島崩壊中の表面拡散
- 表面におけるRHEED電子密度
- 31aWD-6 回折条件による RHEED 波動関数の表面局在の変化
- 28aZF-5 Si(100) 面上の温度勾配によるナノ構造形成 II
- Si(100)面上に形成された2次元島の崩壊における原子拡散
- 19pRH-2 Si(100)面上の2次元・3次元島の崩壊速度
- 24pPSA-53 Ge/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長の動的モンテカルロシミュレーション
- Si(100)上のSiのMBEシミュレ-ション
- 遠赤外線による金属塗装乾燥 I
- 家具の遠赤外線乾燥 II : 実験結果・検討
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