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山梨大学教育学部物理学教室 | 論文
- SiとGaAs分子線エピタクシャル成長中のステップダイナミックス
- モンテカルロ・シミュレーションによるSi(100), GaAs(100)上の分子線エピタクシャル成長の比較
- 21aRF-3 山梨大学工学部共創学習支援室における質問内容の傾向(21aRF 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 表面波共鳴
- 25aL-3 二次元エピタクシャル成長における表面での核形成
- 分子線エピタキシー成長中の表面原子配列-モンテカルロ・シミュレーションによる解析-
- 結晶成長中の表面原子過程のシミュレーション
- RHEED強度振動と結晶成長
- Si (100) 面のMBEシミュレーション
- アルカリ・ハライドのAr+イオンによるスパッタ率の温度依存性
- 完全結晶と異常散乱 (X線の異常散乱)