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富士電機デバイステクノロジー | 論文
- インダクタ一体型DC-DCコンバータにおける無損失電流検出手法
- シリーズレギュレータの位相補償に関する一考察
- カレントコンベアを用いた誤差増幅器
- 低入力オフセット電圧コンパレータにおける同相入力範囲と動作速度の両立
- 自己シールド・自己分離技術を用いたHVICの開発
- CoCrPt-(Ta,B)垂直磁気記録媒体の構造と記録再生特性
- CoCrPt-(Ta,B)垂直磁気記録媒体の磁化の熱擾乱と構造
- 7-2 垂直媒体記録磁化パターンの記録電流依存性
- 電圧駆動型デバイスの低ゲート電圧駆動における発振現象の解析
- 自動車用スマートMOSFET (特集1 自動車用半導体)
- dI/dt制御に着目したIGBTのターンオフ解析
- UシリーズIGBTモジュール(1,200V) (パワー半導体特集)
- 電源用IC基準電圧低変動パッケージング技術
- 次世代IPM用600V低損失 Micro-P 構造IGBT
- SOP-8パッケージハイサイドIPS (パワー半導体特集)
- 車載用サージ吸収入力IC (パワー半導体特集)
- インテリジェントパワ-MOSFET (パワ-半導体特集)
- トレンチゲートMOSFET (パワー半導体特集)
- 第6世代1,700V「Vシリーズ」IGBT (特集 エネルギー・環境分野に貢献するパワー半導体)