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奈良先端大物質創成 | 論文
- 27aYB-3 二次元光電子分光とcite選択的XAFS測定(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-33 光電子回折リングにおける円二色性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-36 円偏光励起によるSi2p光電子放出角度分布の光電子波数依存性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-62 Si(111)表面反転層ホールサブバンドの構造(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31aWD-4 角度分解光電子分光による graphite の価電子帯と伝導帯の分散の測定
- 21pYD-5 ホイスラー型合金(Ru_Fe_x)_2CrSiの電子状態(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 18aTB-1 Si(111) 1×1, 2×2-Feの界面強磁性(18aTB 領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aPS-66 不純物イオンをドープしたZnOナノロッドからの発光(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-91 SiO_2膜に分散したZnOナノ粒子の発光特性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 13pPSA-67 ZnO ナノ粒子分散 SiO_2 膜の顕微発光分光(領域 5)
- 30aPS-61 ZnOナノ粒子を分散したSiO_2膜の作製とその光学測定(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 30aPS-55 高密度光励起下のGaN薄膜における超高速発光特性(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 24pRE-11 円偏光二次元光電子回折による1T-TaS_2の価電子帯の軌道角運動量解析(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
- 23aWS-4 Si(111)-√×√-Sn,-Pb表面の円偏光光電子回折リングの解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-46 Si(111)7×7表面へのアルカリ金属吸着過程の表面電気伝導度(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-45 高分解能角度分解光鷺子分光によるGe(110)表面の電子状態の観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-43 高分解能角度分解光電子分光によるSi(001)4×3-In表面近傍の電子状態(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-40 Bi/Si(001)のスピン分解角度分解光電子分光(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-73 4H-SiC(0001)上のグラフェン形成過程の追跡と層分解構造解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-127 シリコンp型反転層中のサブバンドの面内分散のバルクとの比戟(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
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