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大阪電通大工 | 論文
- 19aTG-11 RSOS-I模型におけるサーマル・ステップ・バンチングの相図(数値くりこみ群法) : 吸着子の有る微斜面(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aTG-12 RSOS-I模型における結晶平衡形およびシェイプ・エクスポーネント(数値くりこみ群法) : 吸着子の有る微斜面(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 02aC04 吸着子のある微斜面 : サーマルステップバンチングの相図(結晶成長理論(1),第36回結晶成長国内会議)
- 22pC2 成長微斜面の変形された熱雑音をもつGinzburg-Landau-Langevin方程式による解析とシミュレーション(成長界面III)
- 22pC1 吸着子のある微斜面のステップ・スムーズニング転移III : 量子スピン鎖の磁化過程との関係(成長界面III)
- 22aC10 吸着子のある微斜面のステップ・スムーズニング転移II : Free-Fermion描像による解析(成長界面II)
- 22aC9 吸着子のある微斜面のステップ・スムーズニング転移I : 数値くりこみ群(成長界面II)
- 22aC5 ダイヤモンド構造(111)面のadatom I : 数値くりこみ群(成長界面I)
- 28p-XE-10 Ising-SOS結合模型の相転移II : 数値繰り込み群
- 25p-P-4 Si(111)1×1面のキンク・エネルギーとステップ・スティフネス
- 28a-PS-107 短距離一次元界面ゆらぎと界面張力
- 27a-B-5 反強磁性量子スピン鎖におけるO-spin defectsの長さ分布
- 25a-B-11 Ising-SOS結合模型の相転移 : 数値繰り込み群
- 微斜面におけるステップの相対揺らぎ幅分布 : 理論とシミュレーション : 成長界面I
- staggered BCSOS模型のモンテカルロ・シミュレーション : 成長界面I
- 数値繰り込み群法によるstaggered BCSOS模型の解析 : インバース・ラフニングとリエントランス : 成長界面I
- 単一ステップゆらぎの形状解析とステップ諸量 : モンテカルロ計算 : 成長界面I
- Si(111)面のキンク・エネルギー,ステップ諸量,平衡形 : 成長界面I
- 30p-YE-12 Staggered BCSOS模型のインバース・ラフニング転移 : 数値繰り込み群を用いたアプローチ
- 7a-YJ-5 フラストレートした相互作用をもつ制限SOS模型のインバース・ラフニング転移 : 数値繰り込み群を用いたアプローチ